oto dane z everesTA: PAMIEC
--------[ EVEREST Home Edition © 2003-2005 Lavalys, Inc. ]------------------------------------------------------------
Wersja EVEREST v2.00.335/pl
Strona domowa http://www.lavalys.com/
Typ raportu Szybki raport
Komputer ANTYMYSI-MYR61N
Generator raportu antymysior
System operacyjny Microsoft Windows XP Professional 5.1.2600 (WinXP Retail)
Data 2005-08-08
Czas 17:15
--------[ Pamięć ]------------------------------------------------------------------------------------------------------
Pamięć fizyczna:
W sumie 1023 MB
Użytych 395 MB
Wolne 627 MB
Wykorzystanie 39 %
Rozmiar pliku wymiany:
W sumie 2461 MB
Użytych 268 MB
Wolne 2193 MB
Wykorzystanie 11 %
Pamięć wirtualna:
W sumie 3485 MB
Użytych 664 MB
Wolne 2820 MB
Wykorzystanie 19 %
Physical Address Extension (PAE):
Obsługiwane przez system operacyjny Tak
Obsługiwane przez procesor Tak
Aktywna Nie
A TO SPD :
--------[ EVEREST Home Edition © 2003-2005 Lavalys, Inc. ]------------------------------------------------------------
Wersja EVEREST v2.00.335/pl
Strona domowa http://www.lavalys.com/
Typ raportu Szybki raport
Komputer ANTYMYSI-MYR61N
Generator raportu antymysior
System operacyjny Microsoft Windows XP Professional 5.1.2600 (WinXP Retail)
Data 2005-08-08
Czas 17:17
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM2: Nanya M1U51264DS8HC3G-5T ]
Właściwości modułu pamięci:
Nazwa modułu Nanya M1U51264DS8HC3G-5T
Numer seryjny DF5E1901h
Data produkcji Tydzień 16 / 2005
Rozmiar modułu 512 MB (2 rows, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
Producent modułu pamięci:
Nazwa firmy Nanya Technology Corp.
Informacje o produkcie http://www.nanya.com/e-htm/abc/abc-03.htm
[ DIMM3: Nanya M1U51264DS8HC3G-5T ]
Właściwości modułu pamięci:
Nazwa modułu Nanya M1U51264DS8HC3G-5T
Numer seryjny 665B1901h
Data produkcji Tydzień 16 / 2005
Rozmiar modułu 512 MB (2 rows, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
Producent modułu pamięci:
Nazwa firmy Nanya Technology Corp.
Informacje o produkcie http://www.nanya.com/e-htm/abc/abc-03.htm