1.
Mam karte GF6600GT 128 ddr-ram ale dzis zobaczylem ze mam w biose ustawione na AGP Aperature size (MB) na 32M
no przestawilem to na 128M ale cos mi swita ze powinienem dac 256M
to jak mam miec ustawione na 128M bo mam 128mb pamieci na karcie czy moze 256 jego podowojona wartosc?
2.
I jeszcze w ustawieniach pamieci mam Async Latency ustawione na 7ns - co to znaczy?
A Read Preamble value na 5.5 ns a moje Pamieci maja Cl.3 czy mam przestawic na cl.3?
3.
A to moj procesor
zasilacz mam lipnej firmy ale mimo to nie bylo problemow podkrecic przez fsb procesor do 2400+ test w primie przeszedl..max temperatura na boxowym standarodym chlodzeniu 47C..
czy na [lycie Gigabyte nForce3 GA-K8NS moge zmienic mnoznik z 10 na 11? bo przez fsb moge przetaktowac..a wolalbym przez mnoznik..ktore taktowanie jest dobre - mnoznik czy moze fsb? czy oba sa podobne i daje podobne efekty?
4.
wracajac do mojej pamieci 2x512
--------[ Pamięć ]------------------------------------------------------------------------------------------------------
Pamięć fizyczna:
W sumie 1023 MB
Użytych 251 MB
Wolne 771 MB
Wykorzystanie 25 %
Rozmiar pliku wymiany:
W sumie 1692 MB
Użytych 179 MB
Wolne 1513 MB
Wykorzystanie 11 %
Pamięć wirtualna:
W sumie 2716 MB
Użytych 431 MB
Wolne 2285 MB
Wykorzystanie 16 %
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ Kingston K ]
Właściwości modułu pamięci:
Nazwa modułu Kingston K
Numer seryjny 6C3DCD5Ah
Data produkcji Tydzień 48 / 2005
Rozmiar modułu 512 MB (2 rows, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Najwyższe opóźnienie CAS 3.0 (5.0 ns @ 200 MHz)
Następne najwyższe opóźnienie CAS 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Nie obsługiwane
Auto-Precharge Nie obsługiwane
Precharge All Nie obsługiwane
Write1/Read Burst Nie obsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nie obsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nie obsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nie obsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nie obsługiwane
Registered DQMB Inputs Nie obsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nie obsługiwane
Producent modułu pamięci:
Nazwa firmy Kingston Technology Company, Inc.
Informacje o produkcie http://www.kingston.com/products/default.asp
[ Kingston K ]
Właściwości modułu pamięci:
Nazwa modułu Kingston K
Numer seryjny 8616D8B0h
Data produkcji Tydzień 15 / 2005
Rozmiar modułu 512 MB (1 rows, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Najwyższe opóźnienie CAS 3.0 (5.0 ns @ 200 MHz)
Następne najwyższe opóźnienie CAS 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Nie obsługiwane
Auto-Precharge Nie obsługiwane
Precharge All Nie obsługiwane
Write1/Read Burst Nie obsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nie obsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nie obsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nie obsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nie obsługiwane
Registered DQMB Inputs Nie obsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nie obsługiwane
Producent modułu pamięci:
Nazwa firmy Kingston Technology Company, Inc.
Informacje o produkcie http://www.kingston.com/products/default.asp
--------[ Debug - PCI ]-------------------------------------------------------------------------------------------------
jak bardzo moge ja podkrecic?
i czy te ustawienia w biosie co podawalem w punkcie dwa sa wlasciwe "I jeszcze w ustawieniach pamieci mam Async Latency ustawione na 7ns - co to znaczy?
A Read Preamble value na 5.5 ns a moje Pamieci maja Cl.3 czy mam przestawic na cl.3?"??
Za wszystkie odpowiedzi z gory dziekuje i pozdrawiam