Witam! Chcę ustawić pamięci RAM Kingston HyperX 4GB Kit 1600MHz KHX1600C8D3K2/4GX na płycie GIGABYTE GA-770T-USB3 która daję możliwość ustawień DRAM Configuration w następujących opcjach:
CAS# latency,
RAS to CAS R/W Delay,
Row Precharge Time,
Minimum RAS Active Time,
1T/2T Command Timing,
TwTr Command Delay,
Trfc0 for DIMM1,
Trfc2 for DIMM2 ,
Trfc1 for DIMM3,
Trfc3 for DIMM4,
Write Recovery Time,
Precharge Time,
Row Cycle Time,
RAS to RAS Delay
Na razie ustawiłem:
CAS# latency 8T
RAS to CAS R/W Delay 8T
Row Precharge Time 8T
Minimum RAS Active Time 24T
Memory Clock X8.00 1600MHz
DRAM Voltage Control 1.640V (niestety nie ma opcji 1.650V bo kolejne oczko to 1.660V)
Reszta została na AUTO, czy te ustawienia są OK? Ustawić DRAM Voltage Control na 1.640V czy może 1.660V bo niestety 1.65V się chyba nie da.