Memory Timings: CAS lat, RAS to CAS, minRAS act.time, etc...

[marcellus]

Witam,

Czy ktos moze mi powiedziec co te wszystkie timingi/ustawienia oznaczaja?

Albo jak powinienem je ustawic dla najlepszego performance?...

 

[Paszczu]

tCASCAS Latency (CL) to najczęściej chyba spotykane ustawienie opóźnienia. Określa ono ilość cykli zegara magistrali, jakie upływają od wydania przez CPU polecenia aktywacji wybierania kolumny, do mometu przekazania danych do bufora w kontrolerze pamięci. Ma dość duży wpływ na wydajność, szczególnie dla graczy, wyznających religię 3DMark i Quake III. W przypadku modułów DDR współczynnik ten wynosi zazwyczaj 2.5, a ustawić go można w zakresie od 2.0 do 3.0 (choć w niektórych płytach możliwe jest ustawienie CL1.5 i CL1), w przypadku SDR'ów zazwyczaj możemy ustawić CL2 lub CL3.tRCDCzas RCD (RAS to CAS delay) określa, ile taktów zegara potrzeba po wykonaniu polecenia CAS i zlokalizowania w ten sposób potrzebnej kolumny, do wykonania ładowania RAS. Przy niskich ustawieniach, daje małego, ale widocznego 'kopa' systemowi. tRASCzas RAS (Row Address Strobe) specyfikuje ilość cykli wymaganych do wykonania komendy aktywacji jednego z banków pamięci, zanim załadowanie adresu wiersza może zostać wykonane. Sam w sobie nie daje zbyt dużego przyrostu wydajności przy ostrzejszych ustawieniach.tRPParametr RP (RAS Precharge) to liczba taktów zegara, jaka jest potrzebna do przywrócenia danym ich pierwotnego położenia, zamknięcia banku bądź też ilość cykli wymagana do stronicowania pamięci przed wykonaniem kolejnego polecenia aktywacji banku. Również nie ma zbytniego wpływu na wydajność.Bank InterleaveUstawienie przeplotu poszczególnych banków pamięci - dzięki czemu jeśli jeden z nich wykonuje polecenie, inne mogą zająć się czymś innym. W tym wypadku, większe ustawienie jest zawsze szybsze. Bank Interleave daje dość spory przyrost wydajności, szczególnie podczas zadań stricte pamięciowych.

[marcellus]

ooooook.... ten opis za bardzo nie pisze co mam ustawic, ale bede strzelac ;)

Czyli ustawic powinienem tak?

 

DRAM Command Rate: 1T

CAS Latency Time: 2

RAS# to CAS# Delay: 1

Min. RAS# Active Time: 1 ?????

RAS# Precharge Time: 1

Row Cycle Time: 1 ????

Row Refresh Cycle Time: 1 ????

RAS# to CAS# Delay: 1

Write Recovery Time: 1

Write to Read Delay: 1

Read to Write Delay: 1

 

No... wiec z pewnoscia to jest zle, wiec moze ktos mi powie co najlepiej zaczac zmieniac? ;)

 

Jezeli pamiec jest opisana 2-2-2-5 to jak powiniem powyzsze ustawienia dac? I dlaczego RAS# to CAS# jest podwojnie??

[Garfield^]

taki staż na forum, a zadajesz takie pytania, wstyd...

A wracajac do tematu radze ci uzycie opcji szukaj, bo to naprawde już było ...

[marcellus]

byly opisane ale nie wszystkie wartosci ;)