Toshiba L30-115 – Problem Z Uruchamianiem...

[Godfath3r]

Witam.

Trzy tygodnie temu nabyłem toshibę l30-115. Po tygodniu użytkowania dokupiłem 512 mb ramu (razem 768 mb). Wszystko pięknie, od razu poprawa wydajności. Po paru dniach zaczęły się problemy. Laptop jakby się zawieszał zaraz po naciśnięciu przycisku Power. Wentylator od razu pracuje na pełnych obrotach, dioda od dysku świeci się bez przerwy. Wszystko stoi. Nawet ekran się nie podnosi. Uruchamia się dopiero po kilku resetach. Raz się włącza po drugim restarcie, a raz po dziesięciu.

Spotkał się już ktoś z takimi objawami?

Proszę o pomoc.

 

Dodaje raport z everest'a.

 

[ DIMM3: 534233116461230000 ]	Właściwości modułu pamięci:	  Nazwa modułu									  534233116461230000	  Numer seryjny									 41250451h 	  Data produkcji									Tydzień 33 / 2006	  Rozmiar modułu									512 MB (2 ranks, 4 banks)	  Typ modułu										Unbuffered	  Typ pamięci									   DDR2 SDRAM	  Szybkość pamięci								  DDR2-533 (266 MHz)	  Szerokość modułu								  64 bit	  Napięcie modułu								   SSTL 1.8	  Metoda detekcji błędów							Brak	  Szybkość odświeżania							  Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh	Taktowanie pamięci:	  @ 266 MHz										 5.0-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS)	  @ 266 MHz										 4.0-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS)	  @ 200 MHz										 3.0-3-3-9  (CL-RCD-RP-RAS)	Własności modułu pamięci:	  Early RAS# Precharge							  Nieobsługiwane	  Auto-Precharge									Nieobsługiwane	  Precharge All									 Nieobsługiwane	  Write1/Read Burst								 Nieobsługiwane	  Buffered Address/Control Inputs				   Nieobsługiwane	  Registered Address/Control Inputs				 Nieobsługiwane	  On-Card PLL (Clock)							   Nieobsługiwane	  Buffered DQMB Inputs							  Nieobsługiwane	  Registered DQMB Inputs							Nieobsługiwane	  Differential Clock Input						  Nieobsługiwane	  Redundant Row Address							 Nieobsługiwane  [ DIMM4: Hyundai HYMP532S64BP6-C4 ]	Właściwości modułu pamięci:	  Nazwa modułu									  Hyundai HYMP532S64BP6-C4	  Numer seryjny									 04004178h 	  Data produkcji									Tydzień 38 / 2006	  Rozmiar modułu									256 MB (1 rank, 4 banks)	  Typ modułu										Unbuffered	  Typ pamięci									   DDR2 SDRAM	  Szybkość pamięci								  DDR2-533 (266 MHz)	  Szerokość modułu								  64 bit	  Napięcie modułu								   SSTL 1.8	  Metoda detekcji błędów							Brak	  Szybkość odświeżania							  Zredukowana (7.8 us)	Taktowanie pamięci:	  @ 266 MHz										 5.0-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS)	  @ 266 MHz										 4.0-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS)	  @ 200 MHz										 3.0-3-3-9  (CL-RCD-RP-RAS)	Własności modułu pamięci:	  Early RAS# Precharge							  Obsługiwane	  Auto-Precharge									Obsługiwane	  Precharge All									 Obsługiwane	  Write1/Read Burst								 Nieobsługiwane	  Buffered Address/Control Inputs				   Nieobsługiwane	  Registered Address/Control Inputs				 Nieobsługiwane	  On-Card PLL (Clock)							   Nieobsługiwane	  Buffered DQMB Inputs							  Nieobsługiwane	  Registered DQMB Inputs							Nieobsługiwane	  Differential Clock Input						  Nieobsługiwane	  Redundant Row Address							 Nieobsługiwane	Producent modułu pamięci:	  Nazwa firmy									   Hynix Semiconductor Inc.	  Informacje o produkcie							http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp

[seboxxl]

Witam.

Trzy tygodnie temu nabyłem toshibę l30-115. Po tygodniu użytkowania dokupiłem 512 mb ramu (razem 768 mb). Wszystko pięknie, od razu poprawa wydajności. Po paru dniach zaczęły się problemy. Laptop jakby się zawieszał zaraz po naciśnięciu przycisku Power. Wentylator od razu pracuje na pełnych obrotach, dioda od dysku świeci się bez przerwy. Wszystko stoi. Nawet ekran się nie podnosi. Uruchamia się dopiero po kilku resetach. Raz się włącza po drugim restarcie, a raz po dziesięciu.

Spotkał się już ktoś z takimi objawami?

Proszę o pomoc.

 

Dodaje raport z everest'a.

 

[ DIMM3: 534233116461230000 ]	Właściwości modułu pamięci:	  Nazwa modułu									  534233116461230000	  Numer seryjny									 41250451h 	  Data produkcji									Tydzień 33 / 2006	  Rozmiar modułu									512 MB (2 ranks, 4 banks)	  Typ modułu										Unbuffered	  Typ pamięci									   DDR2 SDRAM	  Szybkość pamięci								  DDR2-533 (266 MHz)	  Szerokość modułu								  64 bit	  Napięcie modułu								   SSTL 1.8	  Metoda detekcji błędów							Brak	  Szybkość odświeżania							  Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh	Taktowanie pamięci:	  @ 266 MHz										 5.0-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS)	  @ 266 MHz										 4.0-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS)	  @ 200 MHz										 3.0-3-3-9  (CL-RCD-RP-RAS)	Własności modułu pamięci:	  Early RAS# Precharge							  Nieobsługiwane	  Auto-Precharge									Nieobsługiwane	  Precharge All									 Nieobsługiwane	  Write1/Read Burst								 Nieobsługiwane	  Buffered Address/Control Inputs				   Nieobsługiwane	  Registered Address/Control Inputs				 Nieobsługiwane	  On-Card PLL (Clock)							   Nieobsługiwane	  Buffered DQMB Inputs							  Nieobsługiwane	  Registered DQMB Inputs							Nieobsługiwane	  Differential Clock Input						  Nieobsługiwane	  Redundant Row Address							 Nieobsługiwane  [ DIMM4: Hyundai HYMP532S64BP6-C4 ]	Właściwości modułu pamięci:	  Nazwa modułu									  Hyundai HYMP532S64BP6-C4	  Numer seryjny									 04004178h 	  Data produkcji									Tydzień 38 / 2006	  Rozmiar modułu									256 MB (1 rank, 4 banks)	  Typ modułu										Unbuffered	  Typ pamięci									   DDR2 SDRAM	  Szybkość pamięci								  DDR2-533 (266 MHz)	  Szerokość modułu								  64 bit	  Napięcie modułu								   SSTL 1.8	  Metoda detekcji błędów							Brak	  Szybkość odświeżania							  Zredukowana (7.8 us)	Taktowanie pamięci:	  @ 266 MHz										 5.0-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS)	  @ 266 MHz										 4.0-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS)	  @ 200 MHz										 3.0-3-3-9  (CL-RCD-RP-RAS)	Własności modułu pamięci:	  Early RAS# Precharge							  Obsługiwane	  Auto-Precharge									Obsługiwane	  Precharge All									 Obsługiwane	  Write1/Read Burst								 Nieobsługiwane	  Buffered Address/Control Inputs				   Nieobsługiwane	  Registered Address/Control Inputs				 Nieobsługiwane	  On-Card PLL (Clock)							   Nieobsługiwane	  Buffered DQMB Inputs							  Nieobsługiwane	  Registered DQMB Inputs							Nieobsługiwane	  Differential Clock Input						  Nieobsługiwane	  Redundant Row Address							 Nieobsługiwane	Producent modułu pamięci:	  Nazwa firmy									   Hynix Semiconductor Inc.	  Informacje o produkcie							http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp

Taki problem zdarza się w stacjonarnym komputerze podczas wylania się kondensatorów na płycie głównej. Ale czy to jest przyczyną w Twoim laptopie to nie umiem powiedzieć.

 

EDIT:

A po wyjęciu tego nowego (zresztą dosyć dziwnego) modułu pamięci laptop działa normalnie?

Edytowane 23 Września 2006 przez seboxxl

[Gość]

Wyjmij pamiątkę - gryzie się.