phobosq Opublikowano 12 Sierpnia 2003 Zgłoś Opublikowano 12 Sierpnia 2003 ja mam wlasnie male pytanie odnosnie timingow - co odpowiada za co i jak je dobrze ustawiac? wiem ze na pewno o tym BYLO, ale o co mi chodzi - mam w BIOSie jakies rozne takie DDR DQS, High Nibble, Low Nibble, a oprocz tego CAS - RAS, CAS Latency teraz o co mi chodzi - ktore podajecie wy jesli piszecie o timingach i ktore maja jakies naprawde wazne znaczenie? pytam bo w FAQ nie topicu o timingach, a w "szukaj" pojawia sie tego tyle ze hohoho i nie wiadomo czego szukac, a mam tylko modem i nie bede siedzial trzy dni i przekopywal calego forum... Udostępnij tę odpowiedź Odnośnik do odpowiedzi Udostępnij na innych stronach Więcej opcji udostępniania...
best-boy Opublikowano 13 Sierpnia 2003 Zgłoś Opublikowano 13 Sierpnia 2003 CAS LAtency : 3, 2,5, 2 T(RAS) 1 ~ 7 T(RCD) 1~ 7 T(RP) 1~ 7 Jeszcze jest cos takiego ja T1 Command : Enabled , Disabled BIOS - screen OPIS Udostępnij tę odpowiedź Odnośnik do odpowiedzi Udostępnij na innych stronach Więcej opcji udostępniania...
P3le Opublikowano 13 Sierpnia 2003 Zgłoś Opublikowano 13 Sierpnia 2003 Juz nie pamietam ile razy podawaje te same strony ... bylo juz nawet na oslej o tym topic ... http://www.frazpc.pl/artykuly_wyswietl/165-39 http://www.ocm.pl/artykuly.php?game=Ramy Udostępnij tę odpowiedź Odnośnik do odpowiedzi Udostępnij na innych stronach Więcej opcji udostępniania...
phobosq Opublikowano 13 Sierpnia 2003 Zgłoś Opublikowano 13 Sierpnia 2003 best - Twoje linki sa martwe! :( wiem ze to moglo byc duzo razy ale no cholerka wszyscy pisza o timingach, ale nikt nie mowi co jest co.... tak wysoki poziom?! Udostępnij tę odpowiedź Odnośnik do odpowiedzi Udostępnij na innych stronach Więcej opcji udostępniania...
reed Opublikowano 14 Sierpnia 2003 Zgłoś Opublikowano 14 Sierpnia 2003 best - Twoje linki sa martwe! :( wiem ze to moglo byc duzo razy ale no cholerka wszyscy pisza o timingach, ale nikt nie mowi co jest co.... tak wysoki poziom?! cytat : "Magia RAS, CAS Latency itp. - o co w tym chodzi? Wyobraźcie sobie układ pamięci jako pewną tablicę, zorganizowaną w kolumny i wiersze. Aby zaadresować określoną komórkę musimy znać adres kolumny i wiersza. I właśnie CAS (Column Address Strobe) to sygnał adresowania kolumny, a RAS (Row Address Strobe) to sygnał adresowania wiersza. Aby odczytać, bądź zapisać określoną komórkę pamięci, ustawiany jest najpierw numer wiersza żądanego adresu, a następnie aktywuje sygnał RAS. Zanim jednak można będzie mieć dostęp do kolumny, upływa parę taktów zegara (czas oczekiwania RAS-to-CAS | SDRAM RAS-to-CAS Delay). Podobnie po aktywacji sygnału CAS musi upłynąć parę taktów zegara (Opóźnienie CAS | SDRAM CAS Latency). Jak nietrudno się domyślić im mniej cykli tu ustawimy tym szybciej będzie pamięć działać. Niestety, nie wszystkie pamięci są w stanie to wytrzymać. Największy przyrost wydajności daje obniżenie CL (CAS Latency). Dla pamięci SDR (Single Data Rate) wynosi ono 2 do 3 cykli, dla DDR (Double Data Rate) - 4 do 5. Ze względu na to, że cykl w DDRach jest 2 razy krótszy podaje się 2 lub 2,5 cykla. Jeśli wasza pamięć wytrzyma 2 (komp nie będzie się wieszał) koniecznie tak zostawcie, jeśli nie - będziecie musieli łagodniej ją pot®aktować. To samo tyczy się oczekiwania RAS-to-CAS, nie gwarantuje ono jednak takiego przyrostu wydajności. Wpływ CL na czas dostępu do pamięci: Czas dostępu 8,5 ns 7,5 ns 7 ns 6,5 ns CAS Latency 2 100 MHz 115 MHz 124 MHz 133 MHz CAS Latency 3 116 MHz 133 MHz 143 MHz 154 MHz W przypadku chipsetów VIA dostępne są inne opcje: Bank 0/1, 2/3, 4/5 DRAM Timing - ustawiamy tutaj timingi naszych pamięci. Ustawienie może znacząco przyspieszyć podsystem pamięci, ale na pewno nie wszystkie i nie zawsze nasze pamięci to wytrzymają. Ustawienia dla wszystkich banków powinny być takie same, bo inaczej na pewno spotkacie się z problemami " i jeszcze jeden : "SDRAM CAS Latency Time Opcje : 2, 3 Funkcja ta kontroluje opóźnienie (mierzone w cyklach zegarowych - CLK), które upływa zanim SDRAM zacznie wykonywać polecenie odczytu po jego otrzymaniu. Określa ona również liczbę cykli potrzebną do ukończenia pierwszej części transferu wiązki danych. Innymi słowy im mniejsze opóźnienie, tym szybsza transakcja. Zauważ, że niektóre moduły SDRAM-u mogą nie być w stanie poradzić sobie z mniejszym opóźnieniem, zaczną być niestabilne i tracić dane. Dlatego jeśli to możliwe ustaw SDRAM CAS Latency Time na 2 by uzyskać optymalną wydajność, ale zwiększ go do 3, gdy system zaczyna być niestabilny. Co ciekawe, zwiększenie CAS Latency Time daje taką korzyść, że pozwala by SDRAM pracował z większą szybkością zegara, a tym samy daje ci większe możliwości przetaktowania systemu. A więc jeśli masz problemy z overclockingiem, spróbuj zwiększyć CAS Latency Time. SDRAM Cycle Time Tras/Trc Opcje : 5/6, 6/8 Funkcja ta przełącza minimalną liczbę cykli zegarowych wymaganych przez Tras i Trc SDRAM-u. Tras odnosi się do Row Active Time SDRAM-u, to znaczy czasu przez jaki rząd jest otwarty dla transferów danych. Jest on również znany jak Minimum RAS Pulse Width . Z drugiej strony Trc odnosi się do Row Cycle Time SDRAM-u, który określa jak długi czas jest potrzebny do ukończenia całego cyklu złożonego z otwarcia i odświeżenia rzędu. Ustawieniem domyślnym jest 6/8, które jest bardziej stabilne i wolniejsze niż 5/6. Przy ustawieniu 5/6 cykle SDRAM-u są szybsze, ale rząd może pozostawać otwarty nie na tyle długo, by transakcje danych zostały ukończone. Sprawdza się to szczególnie w przypadku SDRAM-u o zegarze szybszym niż 100MHZ. A zatem powinieneś spróbować ustawienia 5/6, by mieć lepszą wydajność SDRAM-u i zwiększać je do 6/8 tylko wtedy, gdy system zaczyna być niestabilny albo jeśli próbujesz doprowadzić do tego, by SDRAM pracował z większą szybkością zegara. SDRAM RAS-to-CAS Delay Opcje : 2, 3 Opcja ta pozwala wstawić opóźnienie pomiędzy sygnały RAS (Row Address Strobe) a CAS (Column Address Strobe). Opóźnienie to pojawia się, gdy SDRAM jest zapisywany, odczytywany albo odświeżany. Rzecz jasna zmniejszenie opóźnienia poprawia wydajność SDRAM-u, podczas gdy zwiększenie obniża wydajność. Co za tym idzie spróbuj zmniejszyć opóźnienie z domyślnego 3 na 2 by mieć lepszą wydajność SDRAM-u. Jeśli jednak spotykasz się z problemami związanymi z niestabilnością po zmniejszeniu opóźnienia, wróć do domyślnego 3. SDRAM RAS Precharge Time Opcje : 2, 3 Opcja ta ustawia liczbę cykli wymaganych by RAS zgromadził ładunek elektryczny zanim SDRAM zostanie odświeżony. Zmniejszenie Precharge Time do 2 poprawia wydajność SDRAM-u, ale jeśli Precharge Time równy 2 jest niewystarczający dla zainstalowanej pamięci, SDRAM może nie odświeżać się prawidłowo i nie zachowywać danych. A więc ustaw SDRAM RAS Precharge Time na 2, by mieć większą wydajność SDRAM-u, ale zwiększą go do 3 jeśli spotykasz się z problemami związanymi z niestabilnością po skróceniu Precharge Time. SDRAM Cycle Length Opcje : 2, 3 Funkcja podobna do SDRAM CAS Latency Time. Kontroluje ona opóźnienie (w cyklach zegarowych - CLK) pomiędzy wykonaniem polecenia odczytu a jego otrzymaniem. Określa ona również liczbę cykli zegarowych potrzebnych do ukończenia pierwszej części transferu wiązki danych. Innymi słowy im mniejsze opóźnienie, tym szybsza transakcja. Zauważ, że niektóre moduły SDRAM-u mogą nie być w stanie poradzić sobie z krótszym cyklem, zaczną być niestabilne i tracić dane. Dlatego jeśli to możliwe ustaw SDRAM Cycle Lenght na 2 by uzyskać optymalną wydajność, ale zwiększ ją do 3, gdy system zaczyna być niestabilny. Co ciekawe, zwiększenie długości cyklu daje taką korzyść, że pozwala by SDRAM pracował z większą szybkością zegara, a tym samy daje ci większe możliwości przetaktowania systemu. A więc jeśli masz problemy z overclockingiem, spróbuj zwiększyć CAS Cycle Lenght. SDRAM Leadoff Command Opcje: 3, 4 Opcja ta pozwala dostosować czas inicjalizacji potrzebny zanim do danych przechowywanych w SDRAM-ie możliwy będzie dostęp. W większości przypadków jest to czas dostępu do pierwszego elementu danych w wiązce. By uzyskać optymalną wydajność ustaw jego wartość na 3 by mieć krótszy czas dostępu do SDRAM-u, ale zwiększ ją do 4 jeśli masz problemy ze stabilnością. SDRAM Bank Interleave Opcje: 2-Bank, 4-Bank, Disabled Funkcja to pozwala ustawić tryb przeplotu interfejsu SDRAM-u. Przeplot umożliwia bankom SDRAM-u przeplatanie cykli odświeżania i dostępu. Jeden z banków przechodzi cykl odświeżania, podczas gdy do innego następuje dostęp. Poprawia to wydajność SDRAM-u poprzez maskowanie czasu odświeżania każdego z banków. Bliższe przyjrzenie się przeplotowi pokaże, że skoro cykle odświeżania wszystkich banków SDRAM-u są ułożone naprzemiennie, daje to swego rodzaju efekt potokowania. Jeśli w systemie są 4 banki, CPU może w idealnych warunkach wysyłać jedno żądanie danych do każdego z banków w następujących po sobie cyklach zegarowych. Oznacza to, że w pierwszym cyklu zegarowym CPU wyśle adres do Banku 0, a następnie w drugim cyklu zegarowym wyśle kolejny adres do Banku 1 przed wysłaniem trzeciego i czwartego adresu do Banków 2 i 3 odpowiednio w trzecim i czwartym cyklu. Sekwencja to będzie wyglądała mniej więcej w ten sposób: 1. CPU wysyła adres #0 do Banku 0 2. CPU wysyła adres #1 do Banku 1 i otrzymuje dane #0 z Banku 0 3. CPU wysyła adres #2 do Banku 2 i otrzymuje dane #1 z Banku 1 4. CPU wysyła adres #3 do Banku 3 i otrzymuje dane #2 z Banku 2 5. CPU otrzymuje dane #3 z Banku 3 W rezultacie dane z wszystkich żądań będą nadchodziły kolejno z SDRAM-u bez żadnego rozdzielającego jej opóźnienia. Ale jeśli przeplot nie został włączony, ta sama czteroadresowa transakcja będzie wygląda mniej więcej tak: 1. SDRAM się odświeża 2. CPU wysyła adres #0 do SDRAM-u 3. CPU otrzymuje dane #0 z SDRAM-u 4. SDRAM się odświeża 5. CPU wysyła adres #1 do SDRAM-u 6. CPU otrzymuje dane #1 z SDRAM-u 7. SDRAM się odświeża 8. CPU wysyła adres #2 do SDRAM-u 9. CPU otrzymuje dane #2 z SDRAM-u 10. SDRAM się odświeża 11. CPU wysyła adres #3 do SDRAM-u 12. CPU otrzymuje dane #3 z SDRAM-u Jak widać przy włączonym przeplocie pierwszy bank zaczyna transfer danych do CPU w tym samym cyklu, w którym drugi bank otrzymuje adres wysłany przez CPU. Bez przeplotu CPU wysyłałby adres do SDRAM-u, odbierał żądane dane, a następnie czekał aż SDRAM zostanie odświeżony przed inicjalizacją drugiej transakcji danych. Traconych jest wówczas mnóstwo cykli zegarowych. To dlatego przepustowość SDRAM-u zwiększa się, gdy przeplot jest włączony. Jednak przeplot banków działa tylko wtedy, gdy żądane konsekutywnie adresy nie znajdują się w tym samym banku. Jeśli się znajdują, wówczas transakcje danych zachowują się tak, jakby banki nie były przeplatane. CPU będzie musiał czekać aż wyczyszczona zostanie pierwsza transakcja danych, a bank SDRAM-u musi zostać odświeżony zanim procesor będzie mógł wysłać następny adres do tego banku. Każdy DIMM SDRAM-u składa się z dwóch albo czterech banków. Dwubankowe DIMM-y używają 16 megabitowych chipów SDRAM-u i mają pojemność 32MB lub mniejszą. Z drugiej strony czterobankowe DIMM-y zwykle używają 64 megabitowych chipów SDRAM-u, chociaż gęstość SDRAM-u może wynosić do 256 megabitów na chip. Wszystkie DIMM-y SDRAM-u o pojemności 64MB lub większej są z natury czterobankowe. Jeśli używasz pojedynczego, dwubankowego DIMM-a, ustaw tę funkcję na 2-Bank, Ale jeśli używasz dwóch dwubankowych DIMM-ów, możesz posłużyć się również opcją 4-Bank. W przypadku czterobankowych DIMM-ów możesz posłużyć się każdą z dostępnych opcji przeplotu. Naturalnie czterobankowy przeplot jest lepszy niż dwubankowy, więc jeśli to możliwe ustaw 4-Bank. Użyj 2-Bank tylko wtedy, gdy masz pojedynczy dwubankowy SDRAM DIMM. Zwróć jednak uwagę, że Award (obecnie część Phoenix Technologies) zaleca by wyłączyć SDRAM Bank Interleave, jeżeli używane są 16 megabitowe DIMM-y SDRAM. " Wystarczy ? Udostępnij tę odpowiedź Odnośnik do odpowiedzi Udostępnij na innych stronach Więcej opcji udostępniania...