Wyniki W Podkręcaniu Galaxy 7300gt 256mb 1,4ns;d

[hary]

Echhh , ale to jest temp złącza , a nie obudowy , by wiedzieć jaka jest temp złącza musiałbyś znać rezystancje cieplną między złączem , a obudową i obudową a radiatorem , wtedy jesteś w stanie obliczyć temp złącza.

No ale to nie jest 50st roznicy przecie miedzy temp obudowy a złącza.

 

A parametry tranzystorów są podawane przy temp złącza na poziomie 25stopni!!!!!!!.

Hmmm, a mi sie zawsze wydawało że parametry sa podawane przy temp otoczenia 25*C.

[s3bx]

Dzieki, teraz nastepny problem ostatnio jak wgrywalem bios do karty graficznej wszystko bylo ok a teraz po komendzie wgrywania biosu czy wymuszonego wgrywania czy poprostu zwyklego fleszowania wyskakuje komunikat " No swap space! " co to jest?

[sideband]

To dokładnie poczytaj , dlatego przy normalnym chłodzeniu nie uzyskasz takich parametrów jakie podają w katalogu , dopiero na dobrym wc jesteś w stanie. A różnica temperatury zależy od rezystancji cieplnej między złączem , a obudową - każdy tranzystor ma inną , głównie zależy od obudowy tranzystora. Często lepiej kupić mocniejszy tranzystor i zastosować gorsze chłodzenie , bo w pewnym momencie wąskim gardłem jest ta rezystancja o której pisałem , po prostu dajesz megawydajne chłodzenie , które będzie kosztować znacznie więcej niż ten lepszy tranzystor , ale i tak temp złącza będzie na o wiele wyższym poziomie niż w przypadku mocniejszego tranzystora.

[hary]

To dokładnie poczyta...

Z ciekawości otworzyłem dwie pierwsze lepsza karty dla MOS'ow, przed tabelkami z parametrami jest T ambient = 25*C. Dla mnie ambient to otoczenie jest, wg. słownika też.

 

 

Edit:

Ja ci mówie jak jest , nie musisz mi wieżyć.

Ale po co ja mam ci wierzyć że charakterystyki są dla Tj=25*C jak w kartach katalowgowych producentów jest Ta=25*C. Poprostu sprawdziłem to wiem, w przeciwienstwie do Ciebie, nie moja wina że nie chcesz se sam sprawdzić :P Edytowane 1 Grudnia 2007 przez hary

[sideband]

Ja ci mówie jak jest , nie musisz mi wieżyć. Napewno to dotyczy tranzystorów bipolarnych , diod , tyrystorów i triaków , na 100% nie jest pewien czy jest tak w przypadku tranzystorów unipolarnych. W przypadku tranzystorów unipolarnych masz dodatni wpółczynnik tempraturowy , także przy wysokich temperaturach złącza następuje ograniczenie prądu drena.

 

Ale po co ja mam ci wierzyć że charakterystyki są dla Tj=25*C jak w kartach katalowgowych producentów jest Ta=25*C. Poprostu sprawdziłem to wiem, w przeciwienstwie do Ciebie, nie moja wina że nie chcesz se sam sprawdzić

Przecież Ci napisałem , że nie jestem pewien co do badań tranzystorów unipolarnych , odnośnie tego tematu w necie nie znajdziesz żadnych rzetelnych informacji. Co do reszty podanych elementów jestem pewny na 100% , na necie znajdziesz jedynie skrawki tych informacji. Nie wiem czy wiesz , ale można zakupić tranzystory tego samego typu od różnych producentów i każdy ma nieco innego parametry , one właśnie wynikają z warunków testowania danego elementu. Nawet jeżeli nie mam racji odnośnie badania tranzystorów unipolarnych , to i tak im wyższa temp złącza tym możliwości prądowe tranzystora spadają(współ. temp. dodatni).

Edytowane 1 Grudnia 2007 przez sideband

[s3bx]

@Edit

Edytowane 1 Grudnia 2007 przez seb_x

[Gość razer]

Z tym napięciem to troche przesadzasz :) Ja na wc dośc wydajnym max 1.7v daje ( przy 1.7v to mi robi 900MHz ) tyle że mem gorzej mi chodzi bo max 880MHz bez artów. Zasilanie przy 1.7v w stresie potrafi mnie poparzyć